檢索結果：共80筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="氮化鎵"
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在RF射頻收發機中，頻率合成器的特性非常重要，內部包含了相位偵測器(PFD)、充電幫浦(CP)、迴路濾波器(LF)、壓控振盪器(VCO)、除頻器(FD)，而這其中又以壓控振盪器和注入鎖定除頻器特…
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發光二極體(Light Emitting Diode, LED)的壽命及性能較傳統光源優異許多，但是散熱的問題一直是影響發光二極體發光效率與壽命的關鍵原因之一。而氮化鎵材料為了降低生產成本，必須磊晶…
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層（AlN BL），可以在少層石墨烯（FLG）/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的低溫AlN…
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現今的發光二極體(LED)驅動器一般都使用脈波寬度調變(PWM)調光法，透過在恆定電流及零電流之間切換的方式改變平均電流，這種方式可以在保持色彩品質的同時改變LED的亮度。但是，在較低的驅動電流下L…
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首先，第一部分我們研究一個有寬頻帶的除二注入鎖定除頻器,主要的注入功率為-20dBm到10dBm。此除頻器由兩個子除頻器組成。其中一個除頻器使用雙諧振電阻分佈式諧振器, 第二個除頻使用單諧振LC諧振…
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本論文使用具有超晶格(Super Lattice)結構的電子阻擋層(Electron Blocking Layer, EBL)的商用氮化鎵藍光LED晶圓，利用矽擴散的方式，將最上層的p-GaN反轉成…
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在RF射頻收發機中，頻率合成器的特性非常重要，內部包含了相位偵測器(PFD)、充電幫浦(CP)、迴路濾波器(LF)、壓控振盪器(VCO)、除頻器(FD)，而這其中又以壓控振盪器和注入鎖定除頻器特性為…
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本論文主要研製一種混合切換主動箝位返馳式轉換器，所提出混合切換技術可增加功率開關之零電壓切換範圍。本文將氮化鎵高電子遷移率電晶體使用在混合切換主動箝位返馳式轉換器中，藉以提高切換頻率，降低功率損耗。…
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提升切換頻率來降低磁性元件以及濾波元件的大小，藉此提升產品的功率密度已是產業的趨勢。但是以往受限於矽元件的特性，大幅限制了電路的切換頻率，近來氮化鎵元件的興起使得電路可以操作於更高的切換頻率。 以高…