檢索結果:共5筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="晶圓切割"
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碳化矽(SiC)作為第三代半導體,由於其低功耗,高功率的特性和適合高壓,大電流的操作環境,使其成為電動車充電和5G基地台的基礎設備。但由於碳化矽材質偏硬脆,使得切割和研磨的難度大幅提升。在封裝後段製…
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在半導體製造業中鑽石刀片已被廣泛使用於晶圓切割,由於矽晶圓與藍寶石基板屬於脆性材料使得在裸晶(die)或晶片(chip)切割分離時難免會產生脆性崩裂,除了材料脆性本質之外,切割時的鑽石刀片狀況也會影…
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本研究主旨係探討以金屬輔助化學蝕刻(Metal-assisted Chemical Etching),結合複合式線鋸(Multi-wire Sawing)切割矽晶圓之可行性。首先以無電鍍法,在不鏽鋼…
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本研究是少數以金屬玻璃鍍層(Thin Film Metallic Glass, TFMG)的低摩擦係數(Low coefficient of friction, CoF)優良特性來提升鑽石切割刀在晶…