檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="持久性"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
近年來,傳統浮動閘極記憶體面臨尺寸微縮的挑戰,例如在穿隧氧化層之非揮發性記憶體在一個很長的操作期間,容易地產生漏電流路徑,因此,分散的儲存電荷之奈米晶結構是下一代非揮發性記憶體元件結構。 本實驗以濺…