檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="n 型單晶矽" and ckeyword.raw="暗示開路電壓"
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本論文係以射頻電漿輔助化學氣相沉積法,來探討單晶矽異質接合的最佳化程序,包含將本質層非晶矽沉積於n型單晶矽基材,以及沉積p型與n型非晶矽摻雜層。所使用的摻雜源為毒性稀釋之三甲基硼及三丁基磷。 本實驗…