檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="類鑽碳" and ckeyword.raw="高電子移動速度電晶體"
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氮化鎵於矽基板上成長時,因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力,造成高密度差排缺陷,降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層,提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料,垂直膜…