檢索結果:共13筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="濺鍍" and ckeyword.raw="薄膜"
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶,製備出p型Zn摻雜…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜,如GaN與InGaN等薄膜,濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶,靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
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近年來,許多研究者紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池真空製程之研究,而真空製程方式極多,主要分為濺鍍與蒸鍍,本實驗使用真空濺鍍當作主要製程。 本實驗是利用不同靶材濺鍍出CIGSe薄膜,再將陶瓷CIGS…
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本論文以實驗室自行壓製陶金靶材,採用RF反應式濺鍍法及利用氮氣混入濺鍍氣體進行製備n型的CuSnSO薄膜與p型的CuSnSNO薄膜,並探討靶材中不同SnS含量比例、沉積溫度及氮元素的摻雜對於薄膜品質…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中,並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材,經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜,期望藉由…
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本研究中所使用的金屬硫化物陶金靶材是由本實驗室熱壓機自行壓製而成,利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下能夠成功地製備出具高電催化特性之Ag/MoSx薄膜。實驗中,探討靶材中不同Ag含量比例,不同硫化物與…
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本論文以實驗室自行壓製硫氧化物電解質靶材,採用RF反應式濺鍍法進行製備氧硫化物電解質的Li2SnOS薄膜,欲將硫化物電解質之高離子傳導性與氧化物電解質之穩定性相結合,得到兼顧化學安定與高鋰離子傳導的…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材,採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜,以N取代O的位置,期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中,觀察在不同氧氣…
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本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜,並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…