檢索結果:共2筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="激子躍遷" and ckeyword.raw="間接能隙"
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本論文主要探討利用化學氣相傳導法成長層狀半導體MoS2摻雜不同過渡性金屬MoS2:X (X=Re,Nb,Fe,Co,Ni) 之相關特性。 在日本National Institute of A…
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層狀單晶半導體Mo1-xWxSe2屬於過渡性金屬雙硫屬化合物(Transition-metal-dichalcogenides) 簡稱TMDCs,層與層之間僅有微弱的凡得瓦爾作用力 (Van der…