檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="氟化鋁" and ckeyword.raw="氫氧化四甲基銨"
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本論文使用新型氮化鎵鋁材料系統蝕刻停止層(Etch-stop layer)結構,成功開發兩階段乾蝕刻製程來控制深蝕刻(>1μm),對於單縱模操作的氮化鎵垂直共振腔面射型雷射(Vertical C…