檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="單層石墨烯" and ckeyword.raw="石墨烯電極"
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氮化鎵擁有高能隙、高電子飽和速度及高崩潰電場等優越特性,成為第三代 高頻、高功率應用元件之寬能隙半導體熱門材料。然而高功率操作下,元件產生 高溫,傳統金屬電極特性衰退,致使元件性能產生熱退化問題。因…