檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="側向晶粒成長" and ckeyword.raw="薄膜電晶體"
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體,其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜,利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2,介面陷阱密度為6.4×…