檢索結果:共2筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="互補式金屬氧化物半導體" and ckeyword.raw="互補式金屬氧化物半導體"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本研究利用標準Bulk CMOS製程中高解析度離子佈植與多層金屬連接層的特性,實現積體化背部電極太陽能電池,選擇0.18、0.35μm CMOS製程中的N-well/P-substrate接面區域設…
2
本篇論文提出了三顆不同結構的注入鎖定除頻器與壓控震盪器,分別為三頻帶除二注入鎖定除頻器、單頻帶除二注入鎖定除頻器以及三頻帶壓控震盪器。 首先,第一顆晶片是一個三頻帶壓控震盪器,使用台積電(TSMC)…