檢索結果:共1筆資料 檢索策略: cdept.raw="電子工程系" and ckeyword.raw="預先退火"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
針對使用DC做為電源的Sputter在(100)方向的矽晶圓上所沉積的非晶矽薄膜,以高溫爐600°C的退火方式,在充滿氮氣的環境之下對非晶矽薄膜進行固態磊晶成長,並且分別以R-HEED(反射式高能電…