檢索結果:共12筆資料 檢索策略: cdept.raw="機械工程系" and ckeyword.raw="比下壓能"
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本文提出奈米流道曲線加工到預定寬度及深度之模擬模式,本文先利用自行設定的控制點所取得的三次曲線方程式(Cubic Spline curve equation),進而計算出近似曲線的多個整數之微小線段…
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摘要 本研究先以下壓力對未浸泡研磨液的單晶矽基板進行原子力顯微鏡(AFM)加工,得出單晶矽基板未浸泡研磨液的比下壓能值。然後再利用較小的下壓力對浸泡室溫研磨液之單晶矽進行AFM加工實驗,以比下壓能理…
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本文利用比下壓能觀念,建立兩種最佳化之逐步逼近到預定之奈米流道梯形凹槽深度之目標收斂函數的最少切削道次之估算方法。第一種為三切削道次偏移循環加工方法,每一切削道次皆為固定下壓力進行加工,進而估算出達…
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本文應用計算化學反應層厚度理論方法及實驗,探討受研磨液影響之不同浸泡條件的單晶矽晶圓基板化學反應層厚度及在固定下壓力下不同浸泡條件的切削深度。本研究先運用原子力顯微鏡之實驗,得出未受研磨液浸泡的單晶…
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本文旨在建立一預測多道次奈米切削加工深度之理論模式,藉以探討在奈米級藍寶石V型溝槽切削下,欲達到所需切削深度的下壓力與加工道次之關係。同時並應用分子靜力學奈米級切削溫度模擬模式,計算被加工工件所產生…
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本文創新提出受研磨液影響藍寶石晶圓基板的化學反應之估算藍寶石晶圓基板化學反應層厚度的理論模式。本文亦進行原子力顯微鏡實驗,估算不同研磨液浸泡條件之比下壓能值。本實驗之研磨液條件為研磨液浸泡時間5分鐘…
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本文創新提出假設不同軸向比下壓能的值約為相同之定值的概念,依據不同軸向的比下壓能理論模式,以及已知奈米級加工深度及刀具形狀,推導出估算奈米級加工單晶矽工件V型溝槽的下壓力及切削力的理論公式。本文先進…
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本文應用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy ,AFM)加工單晶矽基板之奈米流道凹槽本文創新提出以比下壓能之觀念建立在單晶矽基板加工不同形狀奈米流道之兩種加工方法。本文提出的…
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本文提出喇叭型奈米流道加工到預定寬度及預定深度之模擬模式,本文先設計喇叭型奈米流道的推拔角、開口高度以及喇叭型底部的第一切削道次的長度,再利用兩道次偏移加工法以及加工直線梯型凹槽到預定深度及預定寬度…
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本研究提出創新的計算受不同溫度研磨液化學反應影響之單晶矽基板化學反應層內的莫氏勢能之結合能計算方法。本研究先以下壓力對未浸泡研磨液的單晶矽基板進行原子力顯微鏡(AFM)加工,得出單晶矽基板未浸泡研磨…