檢索結果：共28筆資料 檢索策略： cdept.raw="材料科學與工程系" and ckeyword.raw="薄膜"
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透明導電氧化物薄膜(Transparent conductive oxides, TCO)為一種兼具透明與導電兩種特性的材料，故被廣泛地應用於不同的電子設備上，如發光二極體、觸控面板與太陽能電池。然…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
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本研究是利用磷酸鈣部份包覆光觸媒製備成類似多層構造的複合物，再與不同分子量 PEG 鏈段之 PEG Silicone Polyester 黏著劑，混掺成聚合物，藉以塗佈於基材上，可延緩因光觸媒直接接…
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隨著半導體製程技術的演進，銅已被廣泛作為內連線材料，由於具有較低的電阻率和較好的抗電致遷移能力。然而，銅與介電層存在著附著力的問題，且低溫下，銅便會與矽產生反應，此銅矽物在IC結構中，會造成元件失效…
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本研究主要是製備葡聚醣/聚乙烯醇共混摻膜，海藻酸鈉/聚麩胺酸鈣水膠與海藻酸鈣水膠，進而評估這三種材料的親水性、血液相容性與力學性質等試驗，最後使用動物模式完成材料貼附皮膚刺激試驗。本研究分成兩部份探…
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近年來，許多研究者紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池真空製程之研究，而真空製程方式極多，主要分為濺鍍與蒸鍍，本實驗使用真空濺鍍當作主要製程。 本實驗是利用不同靶材濺鍍出CIGSe薄膜，再將陶瓷CIGS…
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電阻式隨機存取記憶體(RRAM) 已經引起相當大的關注於下一代非揮發性記憶體的應用，由於其結構簡單可應用於高密度積體電路，也可以兼容於傳統的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)，並且具有低操作功率、開…
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本研究使用電沉積技術成功製備出具高電催化特性的雙功能NiFe-LDH/Ni(OH)2雙層薄膜，並在實驗中，探討不同的層狀雙氫氧化物的電催化性能，以及不同的電沉積參數對薄膜的電化學特性與表面特徵之影響…