檢索結果:共1筆資料 檢索策略: cdept.raw="材料科學與工程系" and ckeyword.raw="氮化鎵高電子遷移率電晶體"
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氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMTs)在高功率操作下,傳統金屬電極與元件結構層間之電致遷移現象變得更為嚴重,電致遷移現象除了使電晶體源極與汲極之歐姆接觸電阻上升;也導致閘極產生漏電路徑,使電…