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  • 檢索結果:共16筆資料 檢索策略: cdept.raw="化學工程系" and ckeyword.raw="碳化矽"


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    1

    使用金屬矽化物共晶合金與石墨之共蒸鍍合成碳化矽之研究
    • 化學工程系 /107/ 碩士
    • 研究生: 邱懿安 指導教授: 洪儒生
    • 本論文針對碳化矽的低溫製備,考慮利用具有低共晶點的金屬矽化物合金作為合成碳化矽的矽來源,利用金屬矽化物合金比起原始組成之金屬有熔點急劇下降的特性,期望在較低的溫度下使其與活性碳反應來生成碳化矽鍵…
    • 點閱:262下載:2

    2

    以鋁矽/金矽合金與石墨之共蒸鍍來製備碳化矽之研究
    • 化學工程系 /106/ 碩士
    • 研究生: 謝孟廷 指導教授: 洪儒生
    • 本論文針對碳化矽的低溫製備,考慮利用矽化物合金的低融點特性,期望在較低的溫度下使其與活性碳物種反應來生成碳化矽鍵結。 本研究將採用電子束與熱蒸鍍法共蒸鍍石墨與金矽/鋁矽合金,分別於合金共晶溫度(36…
    • 點閱:257下載:1

    3

    以化學氣相沉積法於矽晶基材上的碳化矽及鍺異質磊晶成長之研究
    • 化學工程系 /97/ 博士
    • 研究生: 劉智生 指導教授: 洪儒生
    • 本論文的主題分為四部分: (1)以SiH4、C2H2和H2為反應物的低壓化學氣相沉積系統探討Si(111)上碳化緩衝層表面的石墨化及其對成長3C-SiC(111)磊晶膜的影響之研究; (2)以SiH…
    • 點閱:421下載:13

    4

    以化學氣相沈積複合膜做為石墨保護層的研究
    • 化學工程系 /93/ 碩士
    • 研究生: 陳詩平 指導教授: 洪儒生
    • 本研究乃以四甲基矽烷(TMS)、氨氣、氫氣為原料氣體的內熱式低壓化學氣相沈積系統,藉由碳化矽/氮化矽複合膜沉積於石墨基材上,作為石墨與碳化矽覆膜間的熱應力緩和傾斜層。利用在氫氣氣氛下控制原料TMS對…
    • 點閱:278下載:0
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    5

    以甲基三氯矽烷為前驅物化學氣相沉積β相碳化矽薄膜的成長機構之研究
    • 化學工程系 /110/ 碩士
    • 研究生: 周冠宏 指導教授: 洪儒生
    • 點閱:336下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/29 (校內網路)
    • 全文公開日期 2027/08/29 (校外網路)
    • 全文公開日期 2027/08/29 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    6

    三氯矽甲烷/氫氣-化學氣相沉積當量組成碳化矽薄膜的反應動力模型化
    • 化學工程系 /111/ 碩士
    • 研究生: 劉浩辰 指導教授: 洪儒生
    • 本論文中針對三氯矽甲烷(MTS)為原料在氫氣氣氛下化學氣相沉積β相碳化矽薄膜的反應機制進行量化模型之探討。首先以一簡化的模型,即僅考慮MTS氣相解離生成一中間產物並貢獻長膜的逐次反應型式,對熱壁式水…
    • 點閱:274下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/29 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/08/29 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/08/29 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    7

    以氬氧混合氣體感應耦合電漿低溫輔助氧化4H碳化矽的製程探討
    • 化學工程系 /110/ 碩士
    • 研究生: 劉怡忻 指導教授: 洪儒生
    • 點閱:149下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/29 (校內網路)
    • 全文公開日期 2027/08/29 (校外網路)
    • 全文公開日期 2027/08/29 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    8

    理論計算於乙炔在矽(100)表面碳化機制之研究
    • 化學工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 陳琮叡 指導教授: 洪儒生 江志強
    • 碳化矽是一個具有良好物理、機械和電子特性的寬能隙材料,使其成為下一個世代中高功率元件的替代材料。在過去大家對於矽基板上磊晶成長碳化矽有很大的興趣,因為其具有低成本以及大面積的優勢,另一方面將矽表面進…
    • 點閱:307下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/08/26 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/08/26 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    9

    二氧化氯摻入氬氧混合氣體電容式耦合電漿用於氧化4H-SiC之研究
    • 化學工程系 /109/ 碩士
    • 研究生: 王鈞漢 指導教授: 洪儒生
    • 點閱:149下載:0
    • 全文公開日期 2026/10/25 (校內網路)
    • 全文公開日期 2026/10/25 (校外網路)
    • 全文公開日期 2026/10/25 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    10

    以Ar/O2感應耦合電漿低溫氧化4H碳化矽初期階段之探討
    • 化學工程系 /110/ 碩士
    • 研究生: 許兆宏 指導教授: 洪儒生 陳良益
    • 本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上,以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體,達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
    • 點閱:290下載:1