檢索結果:共2筆資料 檢索策略: cdept.raw="化學工程系" and ckeyword.raw="暗示開路電壓"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本研究係在以較大面積(20×20 cm2)之射頻電漿輔助化學氣相沉積系統中,通入矽甲烷原料以不同製程條件於單晶矽表面沉積氫化非晶矽形成異質接合結構。研究重點在探究在此一沉積系統中氫化晶矽的鍍…
2
本論文係以射頻電漿輔助化學氣相沉積法,來探討單晶矽異質接合的最佳化程序,包含將本質層非晶矽沉積於n型單晶矽基材,以及沉積p型與n型非晶矽摻雜層。所使用的摻雜源為毒性稀釋之三甲基硼及三丁基磷。 本實驗…