簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共3筆資料 檢索策略: cdept.raw="化學工程系" and ckeyword.raw="感應耦合電漿"


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    以氬氧混合氣體感應耦合電漿低溫輔助氧化4H碳化矽的製程探討
    • 化學工程系 /110/ 碩士
    • 研究生: 劉怡忻 指導教授: 洪儒生
    • 點閱:299下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/29 (校內網路)
    • 全文公開日期 2027/08/29 (校外網路)
    • 全文公開日期 2027/08/29 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    以Ar/O2感應耦合電漿低溫氧化4H碳化矽初期階段之探討
    • 化學工程系 /110/ 碩士
    • 研究生: 許兆宏 指導教授: 洪儒生 陳良益
    • 本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上,以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體,達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
    • 點閱:477下載:1

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    氧化後退火對氬/氧混氣感應耦合電漿製備的SiO2/4H-SiC界面狀態密度之影響
    • 化學工程系 /112/ 碩士
    • 研究生: 李尹辰 指導教授: 洪儒生
    • 有鑒於高溫熱氧化法製備之碳化矽金氧半(MOS)場效電晶體閘極氧化層容易在氧化層與半導體界面(SiO2/4H-SiC)產生殘碳導致界面缺陷過多而降低通道電子遷移率,本研究使用氬氧混合氣體感應耦合電漿(…
    • 點閱:58下載:0
    • 全文公開日期 2029/08/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 2029/08/26 (校外網路)
    • 全文公開日期 2029/08/26 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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