檢索結果:共3筆資料 檢索策略: cdept.raw="化學工程系" and ckeyword.raw="感應耦合電漿"
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本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上,以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體,達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
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有鑒於高溫熱氧化法製備之碳化矽金氧半(MOS)場效電晶體閘極氧化層容易在氧化層與半導體界面(SiO2/4H-SiC)產生殘碳導致界面缺陷過多而降低通道電子遷移率,本研究使用氬氧混合氣體感應耦合電漿(…