檢索結果:共2筆資料 檢索策略: cdept.raw="光電工程研究所" and ckeyword.raw="氮化銦鎵"
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本研究中,利用電漿輔助式分子束磊晶系統在矽基板上成長氮化鎵奈米柱及氮化銦鎵薄膜結構,並將其運用在光電化學產氫的研究上。首先在氮化鎵奈米柱部份,成長不同長度的奈米柱(長度大約在120~720nm、直徑…
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV (GaN)調變至0.7eV (InN),其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜,所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…