檢索結果:共2筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="陳瑞山" and ckeyword.raw="電洞活期"
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本論文探討利用分子束磊晶技術成長的狄拉克半金屬砷化鎘(Cd3As2)薄膜製成自供電光偵測器與其物理機制。因為 Cd3As2 電子遷移率遠大於電洞,利用這個獨特的特性,我們提出可利用光登伯效應 (Ph…
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本篇論文主要探討如何利用光登伯效應 (Photo-Dember Effect) 製作一種自供電與非致冷的紅外光登伯偵測器,。我們發現可以通過利用電子電洞極大的遷移率差異,在半導體與電極邊界處產生電洞…