檢索結果:共2筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="趙修武" and ckeyword.raw="餘輝態"
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本研究建立以氬電漿餘輝態進行矽薄膜沉積之反應機制並進行二維沉積反應之穩態數值模擬,以計算低壓腔體內部矽薄膜成長速率。本研究共考慮17個重要物種,包含電子、質子、自由基氣體、中性氣體等,除求解流場之連…
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本研究建立以氬電漿餘輝態進行矽薄膜沉積之反應機制,並進行三維沉積反應模擬,工作氣體為矽烷及氫氣,同時計算低壓腔體內之矽薄膜成長速率。本研究共考慮19種重要物種,包含電子、質子、自由基氣體、中性氣體等…