檢索結果:共1筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="葉文昌" and ckeyword.raw="表面復合速率"
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本研究以Silvaco公司所開發的元件模擬軟體ATLAS模擬單晶矽太陽能池並觀察n+層(射極)及p+層的厚度及摻雜濃度對元件特性的影響,模擬結果顯示,n+層最佳厚度為0.3μm摻雜濃度為5×1018…