檢索結果:共2筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="洪儒生" and ckeyword.raw="緩衝層"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
碳化矽是一個具有良好物理、機械和電子特性的寬能隙材料,使其成為下一個世代中高功率元件的替代材料。在過去大家對於矽基板上磊晶成長碳化矽有很大的興趣,因為其具有低成本以及大面積的優勢,另一方面將矽表面進…
2
本論文使用有機金屬氣相沈積法(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)製備氮化鎵/氮化銦鎵發光二極體,分別利用添加ZnO當作緩衝層、改變GaN在高…