檢索結果：共4筆資料 檢索策略： cadvisor.raw="朱瑾" and ckeyword.raw="薄膜"
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隨著半導體製程技術的演進，銅已被廣泛作為內連線材料，由於具有較低的電阻率和較好的抗電致遷移能力。然而，銅與介電層存在著附著力的問題，且低溫下，銅便會與矽產生反應，此銅矽物在IC結構中，會造成元件失效…
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電阻式隨機存取記憶體(RRAM) 已經引起相當大的關注於下一代非揮發性記憶體的應用，由於其結構簡單可應用於高密度積體電路，也可以兼容於傳統的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)，並且具有低操作功率、開…
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金屬玻璃鍍層（TFMG）為非晶結構之金屬，最近於材料改良領域獲得高度的關注。 在此研究中，鍍覆金屬玻璃鍍層於聚合物基質，其聚合物基材為靜電紡絲之聚丙烯腈和聚碸複合膜，目的是為了提高膜的選擇性和防汙性…
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目前市面上已被廣泛使用的記憶體，如:動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random Access Memory)及快閃記憶體(flash memory)等，在元件的尺寸大小及密度都已達…