檢索結果:共4筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="朱瑾" and ckeyword.raw="薄膜"
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隨著半導體製程技術的演進,銅已被廣泛作為內連線材料,由於具有較低的電阻率和較好的抗電致遷移能力。然而,銅與介電層存在著附著力的問題,且低溫下,銅便會與矽產生反應,此銅矽物在IC結構中,會造成元件失效…
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電阻式隨機存取記憶體(RRAM) 已經引起相當大的關注於下一代非揮發性記憶體的應用,由於其結構簡單可應用於高密度積體電路,也可以兼容於傳統的互補式金屬氧化物半導體(CMOS),並且具有低操作功率、開…
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金屬玻璃鍍層(TFMG)為非晶結構之金屬,最近於材料改良領域獲得高度的關注。 在此研究中,鍍覆金屬玻璃鍍層於聚合物基質,其聚合物基材為靜電紡絲之聚丙烯腈和聚碸複合膜,目的是為了提高膜的選擇性和防汙性…
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目前市面上已被廣泛使用的記憶體,如:動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random Access Memory)及快閃記憶體(flash memory)等,在元件的尺寸大小及密度都已達…