檢索結果:共3筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="徐世祥" and ckeyword.raw="馬赫詹德延遲干涉儀"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
絕緣層上覆矽(Silicon-on-insulator, SOI)是近年來廣泛應用在高速且低功耗電子元件,因為其具有高折射率係數且可大幅縮小元件體積,同時製作方式與互補式金屬氧化物半導體(Compl…
2
矽線波導馬赫詹德延遲干涉儀(Delayed Mach-Zehnder Interferometer, DMZI),不僅可運用於色散(Chromatic Dispersion, CD)與光訊雜比(Op…
3
絕緣層上覆矽(Silicon-on-insulator, SOI)近年來廣泛運用在低損耗且高速的光電元件上,因為其核芯層與包覆層間之高折射率差使得元件線寬縮小至次微米等級,可大幅縮小元件體積、增加元…