檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="微影製程" and ckeyword.raw="發光二極體" and ckeyword.raw="發光二極體"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一,而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…