檢索結果:共1筆資料 檢索策略: cdept.raw="材料科學與工程系" and ckeyword.raw="石墨烯" and ckeyword.raw="高電子遷移率電晶體"
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近年來,第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件,然而高功率操作下元件廢熱堆積,會使元件特性衰退,傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…