檢索結果:共4筆資料 檢索策略: cdept.raw="化學工程系" and cdept.raw="化學工程系" and ckeyword.raw="矽甲烷"
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統,藉由調配適當的反應參數反應壓力及三甲基硼(TMB)摻雜比等,分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積,並針對薄膜的結構及光電性質加以分析,以探求非晶…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統,藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等,分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積,並針對薄膜的結構及光電性質加以分析,以設計出非晶…
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摘要 本文使用 ab initio 分子軌域計算,配合過渡態理論求得的反應速率常數,以尋找矽烷、鍺烷反應系統合成鍺化矽薄膜程序的主要反應發生途徑。有關量子化學計算,皆採用 B3LYP/6-31G[…
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我們使用密度泛函數(DFT)法研究SiH4, GeH4, Si2H6, and Ge2H6分解吸附與氫遷移和脫附於SiGe(100)-2x1表面。由於鍺加入於Si(100)-2x1表面內影響了dim…